温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种场效应晶体管ＦＥＴ（１０），其包括栅极叠层（２９），一对设置在所述栅极叠层（２９）的侧壁上的第一隔离体（３２）以及一对设置在所述栅极叠层（２９）的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区（３９）。所述ＦＥＴ（１０）的...
该专利属于国际商业机器公司;株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。