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描述了一种用于有效地创建标准单元的布局的系统和方法。用于集成电路的标准单元使用全沟槽硅化物带作为pmos晶体管和nmos晶体管的漏极区域。金属0中的多条单向路线跨标准单元布置，其中每个路线都连接到沟槽硅化物触点。电源连接和接地连接利用引脚而...
该专利属于超威半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过超威半导体公司授权不得商用。

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