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本发明公开了一种具有漩涡光调制层的氮化镓基半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。该半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层；该半导体激光器通过漩涡光调制层打破光学互易性，形成非衍射的三维偏...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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