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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种低压屏蔽栅MOSFET及其制备方法、芯片，在衬底层的正面形成凹形结构的N型漂移区，N型漂移区的凹槽内形成多晶硅掺杂层和栅极多晶硅层，栅极多晶硅层位于多晶硅掺杂层的上方，且栅极介质层分别包裹多晶硅掺杂层和...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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