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本发明是一种掺杂贵金属的多孔道结构Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２气敏材料的制备方法。将市售Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２按４∶１或７∶３或３∶２的比例和贵金属Ｐｔ或Ｐｄ或Ａｇ粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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