掺杂贵金属的Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２多孔道结构气敏材料的制备方法技术

本发明专利技术是一种掺杂贵金属的多孔道结构Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２气敏材料的制备方法。将市售Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２按４∶１或７∶３或３∶２的比例和贵金属Ｐｔ或Ｐｄ或Ａｇ粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂多孔道结构Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２气敏材料，贵金属Ｐｔ或Ｐｄ或Ａｇ粉的加入量占Ｉｎ２Ｏ３和ＳｎＯ２总量的０．０５％；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率５０－５００℃／ｈ；保温分为两段，第一段温度范围６００－７００℃，第二段温度范围１２５０－１４５０℃；保温时间１－５小时；氧气流量３－８Ｌ／ｍｉｎ。该方法通过多孔道结构增加比表面积以提高气敏性，和通过纳米贵金属来提高气敏材料的选择性。本发明专利技术具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷材料合成
，具体是掺杂纳米贵金属的In203/Sn02多孔道 结构气敏材料的制备方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，对可燃性气体及毒性气体的检测、监控、报警的要求越来越 高，这就对检测所依赖气敏材料提出了更高的要求；因此，提高气敏材料的灵敏度、选择性 及长期稳定性以及降低工作温度、缩短响应恢复时间等成为气敏材料发展的重要方向。目前研究者普遍认为改善气敏材料综合性能的方法主要有掺杂金属离子(包括 贵金属或稀土元素)或金属氧化物、增大气敏材料比表面积、加强气敏机理的研究等。多孔道结构金属氧化物气敏材料正是利用多孔结构比表面积大，介孔(几个纳米 到几十个纳米)结构对气体的吸附性强，增加了化学反应的活性点这一材料微观结构特性 提出的，这种结构的金属氧化物气敏材料的气体敏感性远优于常规金属氧化物复合材料。 虽然多孔道微观结构对提高气敏材料气体敏感性起到了重要作用，但同一种金属氧化物在 特定温度条件下不仅仅对一种气体敏感，可能对几种气体都敏感，导致人们对气体种类检 测的困难，需要对气敏材料的选择性进一步提高，以实现所制备的传感器在使用过程中仅 对所检测的气体敏感；这一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂贵金属的In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法，其特征在于：将市售In2O3、SnO2按4∶1或7∶3或3∶2的比例和贵金属Pt或Pd或Ag粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，贵金属Pt或Pd或Ag粉的加入量占In2O3和SnO2总量的0.05％；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率50？500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600？700℃，第二段温度范围1250？1450℃；保温时间1？5小时；氧气流量3？8L/min。

【技术特征摘要】
一种掺杂贵金属的In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法，其特征在于将市售In2O3、SnO2按4∶1或7∶3或3∶2的比例和贵金属Pt或Pd或Ag粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，贵金属Pt或Pd或Ag粉的加入量占In2O3和SnO2总量的0.05％；原位烧结生长氧气氛烧结条件升温速率50 500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600 700℃，第二段温度范围1250 1450℃；保温时间1 5小时；氧气流量3 8L/m...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓龙，曹建春，陈敬超，阮进，于杰，杜焰，沈黎，吴大平，熊大民，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：53