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本发明提供了一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法。该存储器阵列由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线和一条读出字线，同一列存储单元共用一条写入位线和一条读出位线；存储单元包括一个P型隧穿场...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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