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本申请提供了一种半导体外延生长设备,包括:反应腔体和感应线圈,其中,所述感应线圈设置在所述反应腔体的外周,所述感应线圈沿工艺气体的流动方向具有第一端和第二端,所述第一端靠近工艺气体入口,所述第二端靠近工艺气体出口,所述反应腔体内设置有基片托...该专利属于研微(江苏)半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过研微(江苏)半导体科技有限公司授权不得商用。
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