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一种基于二维薄膜的加速度传感器，由二维薄膜与硅MEMS基底进行集成，同时二维薄膜悬浮Si/SiO<subgt;2</subgt;质量块，该器件由两层晶圆键合而成，上层晶圆设置有空腔，空腔上方设置有以硅支撑框架支撑的二维敏感薄膜，...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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