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本公开提供一种晶体管结构和其形成方法，晶体管结构包括半导体堆叠、栅极结构及导电元件。半导体堆叠包括位于基板上方的飘移层、位于飘移层中的第一掺杂区域，及位于飘移层中且邻接第一掺杂区域的空乏区。飘移层具有第一导电类型，第一掺杂区域具有第二导电类...
该专利属于鸿扬半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿扬半导体股份有限公司授权不得商用。

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