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本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体主体，包括衬底、埋层以及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的...
该专利属于思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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