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本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，停止...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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