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提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置、半导体装置的制造方法及电子设备。该半导体装置包括电容器、晶体管以及第一绝缘层。电容器包括第一及第二导电层以及第二绝缘层。第二绝缘层与第一导电层的侧面接触，第二导电层隔着第二绝缘层覆盖第一导电层的侧面...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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