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薄膜晶体管及其制备方法技术
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文档序号:40840241
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本公开提供了一种薄膜晶体管,可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括:基板;栅极金属层,栅极金属层下表面贴合基板;介质层,介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面;沟道层,设置于介质层上方,沟道层材料包括InSeO薄...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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