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一种三维半导体器件，包括：在衬底上的第一有源区域，该第一有源区域包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，该第二有源区域包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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