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本发明公开了一种新型perc背面膜层结构及镀膜方法，包括：P型硅基，所述P型硅基正面设置有N型发射极；所述P型硅基位于N型发射极外还覆盖有氧化硅层，所述氧化硅层外还覆盖有减反膜；正面电极，所述正面电极设置于P型硅基正面；钝化膜，所述钝化膜设...
该专利属于滁州亿晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过滁州亿晶光电科技有限公司授权不得商用。

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