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示例性的蚀刻方法可以包括使含氟前驱物和辅助气体流入半导体处理腔室的处理区域中。辅助气体可以是或包括氧气或氮气。含氟前驱物与辅助气体的流速比可大于或约为1:1。该方法可包括使基板与含氟前驱物和辅助气体接触。基板可以包括经暴露金属。基板可限定高...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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