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一种半导体器件，包括：衬底；阱，所述阱毗邻衬底并包括Ｎ型埋层和Ｎ型掺杂区域；具有掺杂梯度的Ｎ型掺杂区域，所述具有掺杂梯度的Ｎ型掺杂区域毗邻所述衬底和所述阱的Ｎ型掺杂区域；Ｐ型掺杂区域，所述Ｐ型掺杂区域毗邻所述衬底和所述具有掺杂梯度的Ｎ掺杂区...
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