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本发明公开了一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法，包括反应釜和储槽；其中，储槽内盛装有熔体；反应釜内的顶部设置有用于将熔体雾化成微小液滴的雾化喷头和用于供氮气进入的进气口，雾化喷头通过第二管道与储槽连通，第二管道上设置有第二循环泵；反...
该专利属于北京大学东莞光电研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学东莞光电研究院授权不得商用。

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