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本发明涉及一种含PN结的单晶半导体芯光纤器件及其制备方法。在N型半导体材料上通过离子注入三价元素形成PN结，再由CO<subgt;2</subgt;激光照射后制备光纤包层，形成光纤内单晶PN结器件。包括如下步骤：1)采用湿法腐蚀...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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