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伪多端口存储器、访问存储器阵列的方法及存储器阵列技术
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文档序号:40804932
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本发明提供了伪多端口存储器、访问存储器阵列的方法及存储器阵列。其中,本发明提供的存储器阵列,可包括:多个分层位线,每个所述分层位线包括:第一位线,布线在第一层金属层上;第二位线,布线在与所述第一层金属不同的第二层金属上;多个存储器单元,所述...
该专利属于联发科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。
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