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本申请涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质。提供以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜技术。其包括：(a)(a1)将氧化剂和还原剂激发成等离子体状态并向具有第1表面和第2表面的衬底供给的工序、(a2)将还原剂激发成...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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