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本发明提供一种光敏二极管的制造方法,涉及光敏二极管制造技术领域。包括步骤S1：在片源表面形成氧化硅层，以作为后续步骤的阻挡层；步骤S2：形成P型掺杂区；步骤S3：形成N型掺杂区；步骤S4：蚀刻掉氧化硅层；步骤S5：沉积减反射膜层；步骤S6：...
该专利属于湖南蓝芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南蓝芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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