【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光敏二极管制造，具体为一种光敏二极管的制造方法。
技术介绍
1、光敏二极管是一种光电器件，也叫光电二极管；光敏二极管与半导体二极管在结构上相类似，其管芯是一个具有光敏特性的pn结，具有单向导电性，在工作时需要加上反向电压。无光照时，光敏二极管中有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止；当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，光电流的大小随入射光强度的变化而变化。当光线照射光敏二极管中的pn结时，可以使pn结中产生电子-空穴对，以使少数载流子的密度增加；这些载流子在反向电压下漂移，可使反向电流增加，因此能够利用光照强弱来改变电路中的电流。
2、基于上述特性，光敏二极管在电子、通信、工程等领域均得到了广泛的应用。随着市场需求的不断增加，对光敏二极管提出了制造耗时更短的要求。
3、然而，现有的光敏二极管制造方法中，需要使用蒸镀机在高温环境下对片源进行电极金属蒸镀，在沉积电极金属的同时，使电极金属与片源之间形成欧姆接触，之后再使用剥离或蚀刻的方式制作出电极图形。例如公开号为cn109148664a的中国专利提供了一种光电二极管芯片的制备方法，其中包括步骤s7：采用热蒸发工艺在所述外延层表面蒸镀形成电极层。但是，令蒸镀机升温以构建高温环境所需的时间一般较长，所以会造成时间损耗，从而导致整个光敏二极管的制造时间变长；并且，在沉积电极金属的同时进行欧姆接触的形成，不便于对加工精度进行精确控制，容易造成产品性能不稳定。
技术实现思路
1、
2、本专利技术是采用以下技术方案实现的：
3、一种光敏二极管的制造方法，包括如下步骤：
4、步骤s1：在片源表面形成氧化硅层，以作为后续步骤的阻挡层；
5、步骤s2：形成p型掺杂区；
6、步骤s3：形成n型掺杂区；
7、步骤s4：蚀刻掉氧化硅层；
8、步骤s5：沉积减反射膜层；
9、步骤s6：制作n电极；
10、步骤s7：制作p电极；
11、其中，执行步骤s6和步骤s7时，先在常温环境下对片源表面进行电极金属蒸镀，后续再使用熔合机台对蒸镀有电极金属的片源进行熔合，以使电极金属与片源之间形成欧姆接触。
12、本专利技术所提供的制造方法中，对进行电极金属蒸镀和形成欧姆接触做了分开设计，在此基础上进一步限定了进行电极金属蒸镀时的常温环境；并且，熔合机台具备升温迅速、控温精准的优点，便于对熔合的精度进行精确控制。基于此，本方法不需要对蒸镀机进行长时间升温，可以单独把控蒸镀阶段和熔合阶段的加工进程及精度，从而能够有效缩短产品的整体制造时间，并保证产品性能的稳定性。
13、进一步地，所述步骤s6具体包括如下子步骤：
14、步骤s6-1：在片源上制作出n电极孔以及切割道的掩膜；
15、步骤s6-2：制作出n电极孔以及切割道的图形；
16、步骤s6-3：在常温环境下，对片源表面进行n电极金属蒸镀；
17、步骤s6-4：制作出n电极的掩膜；
18、步骤s6-5：制作出n电极；
19、步骤s6-6：使用熔合机台对片源进行熔合，使n电极金属与片源之间形成欧姆接触。
20、进一步地，所述步骤s6-3中，n电极金属的厚度为30000±3000a。
21、进一步地，所述步骤s6-6中，当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃，熔合时间为20±1min；当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃，熔合时间为40±5s。
22、进一步地，所述步骤s6-1中，通过精密光路对片源进行精密套刻，并使用紫外光对光刻胶进行曝光，制作出n电极孔以及切割道的掩膜；所述步骤s6-2中，使用化学溶液蚀刻掉掩膜未保护的氧化硅，制作出n电极孔以及切割道的图形；所述步骤s6-4中，通过精密光路对片源进行精密套刻，并使用紫外光对光刻胶进行曝光，制作出n电极的掩膜；所述步骤s6-5中，使用化学溶液蚀刻掉掩膜未保护的金属，制作出n电极。
23、进一步地，所述步骤s7具体包括如下子步骤：
24、步骤s7-1：在片源上制作出p电极的掩膜；
25、步骤s7-2：制作出p电极的图形；
26、步骤s7-3：在常温环境下，对片源表面进行p电极金属蒸镀；
27、步骤s7-4：使用熔合机台对片源进行熔合，使p电极金属与片源之间形成欧姆接触。
28、进一步地，所述步骤s7-3中，p电极金属的厚度为10000±1000a。
29、进一步地，所述步骤s7-4中，熔合温度为200±5℃，熔合时间为10±1min。
30、进一步地，所述步骤s7-1中，通过精密光路对片源进行精密套刻，并使用紫外光对光刻胶进行曝光，制作出p电极的掩膜；
31、进一步地，所述步骤s7-2中，使用化学溶液蚀刻掉掩膜未保护的氧化硅，制作出p电极的图形。
32、进一步地，所述步骤s2具体包括如下子步骤：
33、步骤s2-1：通过精密光路对片源进行精密套刻，并使用紫外光对光刻胶进行曝光，制作出p型掺杂区的掩膜；
34、步骤s2-2：使用化学溶液蚀刻掉掩膜未保护的氧化硅，制作出p型掺杂区的图形；
35、步骤s2-3：对片源进行硼扩散，形成p型掺杂区及截止环结构；
36、所述步骤s3具体包括如下子步骤：
37、步骤s3-1：通过精密光路对片源进行精密套刻，并使用紫外光对光刻胶进行曝光，做出n型掺杂区的掩膜；
38、步骤s3-2：使用化学溶液蚀刻掉掩膜未保护的氧化硅，制作出n型掺杂区的图形；
39、步骤s3-3：对片源进行磷扩散，形成n型掺杂区。
40、本专利技术实现的有益效果是：
41、一种光敏二极管的制造方法，在制作电极时，先在常温环境下对片源表面进行电极金属蒸镀，后续再使用熔合机台对蒸镀有电极金属的片源进行熔合以使电极金属与片源之间形成欧姆接触。与需要在高温环境下使用蒸镀机进行电极金属蒸镀的现有光敏二极管制造方法相比，本方法对进行电极金属蒸镀和形成欧姆接触做了分开设计，且进行电极金属蒸镀时使用常温环境，即无需蒸镀机升温；基于此，可以单独把控蒸镀阶段和熔合阶段的加工进程及精度，能够有效缩短产品的整体制造时间，并保证产品性能的稳定性。
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1.一种光敏二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤S6具体包括如下子步骤：
3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤S6-3中，N电极金属的厚度为30000±3000A。
4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤S6-6中，当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃，熔合时间为20±1min；当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃，熔合时间为40±5s。
5.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤S7具体包括如下子步骤：
7.根据权利要求6所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤S7-3中，P电极金属的厚度为10000±1000A。
8.根据权利要求6所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤S7-4中，熔合温度为200±5℃，熔合时间为
9.根据权利要求6所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种光敏二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤s6具体包括如下子步骤：
3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤s6-3中，n电极金属的厚度为30000±3000a。
4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤s6-6中，当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃，熔合时间为20±1min；当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃，熔合时间为40±5s。
5.根据权利要求2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱帅，朱合意，
申请(专利权)人：湖南蓝芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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