一种光敏二极管的制造方法技术

技术编号:40803820 阅读:31 留言:0更新日期:2024-03-28 19:28
本发明专利技术提供一种光敏二极管的制造方法,涉及光敏二极管制造技术领域。包括步骤S1:在片源表面形成氧化硅层,以作为后续步骤的阻挡层;步骤S2:形成P型掺杂区;步骤S3:形成N型掺杂区;步骤S4:蚀刻掉氧化硅层;步骤S5:沉积减反射膜层;步骤S6:制作N电极;步骤S7:制作P电极;其中,执行步骤S6和步骤S7时,先在常温环境下对片源表面进行电极金属蒸镀,后续再使用熔合机台对蒸镀有电极金属的片源进行熔合,以使电极金属与片源之间形成欧姆接触。本发明专利技术解决了现有的光敏二极管制造方法中,由于需要使用在高温环境下对片源进行电极金属蒸镀,使得会造成时间损耗,从而导致整个光敏二极管的制造时间变长的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光敏二极管制造,具体为一种光敏二极管的制造方法


技术介绍

1、光敏二极管是一种光电器件,也叫光电二极管;光敏二极管与半导体二极管在结构上相类似,其管芯是一个具有光敏特性的pn结,具有单向导电性,在工作时需要加上反向电压。无光照时,光敏二极管中有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止;当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,光电流的大小随入射光强度的变化而变化。当光线照射光敏二极管中的pn结时,可以使pn结中产生电子-空穴对,以使少数载流子的密度增加;这些载流子在反向电压下漂移,可使反向电流增加,因此能够利用光照强弱来改变电路中的电流。

2、基于上述特性,光敏二极管在电子、通信、工程等领域均得到了广泛的应用。随着市场需求的不断增加,对光敏二极管提出了制造耗时更短的要求。

3、然而,现有的光敏二极管制造方法中,需要使用蒸镀机在高温环境下对片源进行电极金属蒸镀,在沉积电极金属的同时,使电极金属与片源之间形成欧姆接触,之后再使用剥离或蚀刻的方式制作出电极图形。例如公开号为cn109148664a的中国专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,所述步骤S6具体包括如下子步骤:

3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤S6-3中,N电极金属的厚度为30000±3000A。

4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤S6-6中,当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃,熔合时间为20±1min;当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃,熔合时间为40±5s。

5.根据权利要求2所述的一种光敏二极管...

【技术特征摘要】

1.一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,所述步骤s6具体包括如下子步骤:

3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤s6-3中,n电极金属的厚度为30000±3000a。

4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤s6-6中,当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃,熔合时间为20±1min;当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃,熔合时间为40±5s。

5.根据权利要求2所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱帅朱合意
申请(专利权)人:湖南蓝芯微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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