【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光敏二极管制造,具体为一种光敏二极管的制造方法。
技术介绍
1、光敏二极管是一种光电器件,也叫光电二极管;光敏二极管与半导体二极管在结构上相类似,其管芯是一个具有光敏特性的pn结,具有单向导电性,在工作时需要加上反向电压。无光照时,光敏二极管中有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止;当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,光电流的大小随入射光强度的变化而变化。当光线照射光敏二极管中的pn结时,可以使pn结中产生电子-空穴对,以使少数载流子的密度增加;这些载流子在反向电压下漂移,可使反向电流增加,因此能够利用光照强弱来改变电路中的电流。
2、基于上述特性,光敏二极管在电子、通信、工程等领域均得到了广泛的应用。随着市场需求的不断增加,对光敏二极管提出了制造耗时更短的要求。
3、然而,现有的光敏二极管制造方法中,需要使用蒸镀机在高温环境下对片源进行电极金属蒸镀,在沉积电极金属的同时,使电极金属与片源之间形成欧姆接触,之后再使用剥离或蚀刻的方式制作出电极图形。例如公开号为cn1091
...【技术保护点】
1.一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,所述步骤S6具体包括如下子步骤:
3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤S6-3中,N电极金属的厚度为30000±3000A。
4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤S6-6中,当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃,熔合时间为20±1min;当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃,熔合时间为40±5s。
5.根据权利要求2
...【技术特征摘要】
1.一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于,所述步骤s6具体包括如下子步骤:
3.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤s6-3中,n电极金属的厚度为30000±3000a。
4.根据权利要求2所述的一种光敏二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤s6-6中,当熔合机台采用炉管时,熔合温度为450±5℃,熔合时间为20±1min;当熔合机台采用退火炉时,熔合温度为470±10℃,熔合时间为40±5s。
5.根据权利要求2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱帅,朱合意,
申请(专利权)人:湖南蓝芯微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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