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本发明提供了一种晶体管测试设备及其测试方法。本发明通过增设第三测试支路，采用第一测试支路在待测样品的漏电极到源电极之间加高压的同时，通过第三测试支路在待测样品的栅电极到源电极之间加负压以消耗其中的正离子，让产品充分闭合后，从而可以达到对待测...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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