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本公开的各方面提供了一种半导体设备。该半导体设备包括在第一方向上交替堆叠的导电层和绝缘层的堆叠体。导电层和绝缘层的堆叠体在第一方向上具有第一面和第二面。该半导体设备则包括所述导电层和绝缘层的堆叠体的第一面的半导体层；以及在第一方向上穿过半导...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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