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本发明涉及半导体制造领域，具体提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，方法包括：向工艺腔室内部通入工艺气体，并使工艺气体与晶圆表面材料进行刻蚀反应，并生成固态生成物；对晶圆进行加热，以使晶圆表面的固态生成物挥发成混合气体，并控制工艺腔室进行...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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