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本发明提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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