一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。本发明专利技术通过对台面侧壁旋涂光刻胶来避免去除残余硬掩膜时干法刻蚀对台面侧壁刻蚀的损伤，保护台面侧壁免受刻蚀影响，从而降低由刻蚀损伤形成的表面漏电流，最大限度降低表面漏电流，提升阻抗性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法。

技术介绍

1、红外探测器的侧壁漏电流是整个器件暗电流的组成部分，尤其是对于长波、甚长波等禁带宽度较窄的器件，抑制台面侧壁漏电流成为提升器件阻抗性能的一种重要手段。降低器件暗电流一直是探测器性能提升的重要课题，而台面侧壁表面漏电流是长波、甚长波器件暗电流重要组成部分，面对小尺寸高深宽比图形，必须采用硬掩膜，而去除残余硬掩膜不可避免的对台面侧壁造成过度刻蚀损伤。

2、目前，对于长波、甚长波探测器台面侧壁表面漏电流的抑制主要通过降低表面态密度的方式来实现，实现方式有表面原子形成硫化物层，侧壁淀积电介质膜，侧壁宽禁带材料外延生长等。另外结合侧壁外加栅电极，在一定反向偏压下也能提升侧壁漏电流抑制效果。但是面对小尺寸高深宽比图形的焦平面器件，每一种工艺抑制表面漏电流的效果都是有限的，因此，从根本上减少刻蚀损伤的产生，从源头上降低侧壁表面漏电流是必要的。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中长波、甚长波红外探测器的台面侧壁刻蚀损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁胶保护刻蚀方法包括如下方法步骤：

2.根据权利要求1所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，在步骤S2中，所述红外材料的刻蚀深度为：由所述红外材料的上接触层刻蚀至所述红外材料的下接触层。

3.根据权利要求2所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述红外材料的刻蚀深度为：所述红外材料的上接触层至所述红外材料的吸收区的厚度之和的基础上，再向下刻蚀200nm，以使所述红外材料的刻蚀深度由所述红外材料的上接触层刻蚀至所述红外材料的下接触层。

4.根据权利要求2所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁胶保护刻蚀方法包括如下方法步骤：

2.根据权利要求1所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，在步骤s2中，所述红外材料的刻蚀深度为：由所述红外材料的上接触层刻蚀至所述红外材料的下接触层。

3.根据权利要求2所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述红外材料的刻蚀深度为：所述红外材料的上接触层至所述红外材料的吸收区的厚度之和的基础上，再向下刻蚀200nm，以使所述红外材料的刻蚀深度由所述红外材料的上接触层刻蚀至所述红外材料的下接触层。

4.根据权利要求2所述的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述红外材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟强，鹿利单，祝连庆，董明利，陈光，何彦霖，张旭，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：