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本发明涉及一种低增益雪崩探测器及其制作方法。方法包括：在预制的半导体结构中形成P+增益层；所述预制的半导体结构包括衬底，以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶，以及至少一个凹槽；所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧化层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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