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本发明涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅...该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅...