改善硅片PID的抛光方法技术

本发明专利技术涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅片表面进行除杂，同时便于后续硅片挑选。第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛。第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛。第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛。具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片PID在清洗过程中无法被去除的问题。降低PID产生，达到提高硅片质量的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种改善硅片pid的抛光方法。

技术介绍

1、随着器件的精密化，硅片加工可能引起失效的缺陷尺寸越来越小，硅片表面微小缺陷逐渐引起重视，并且随着检测设备的发展和缺陷检测能力的提高，发现抛光过程中会产生微小凸起缺陷，即pid (polishing induced defects)。

2、硅片和抛光布相对旋转并供应碱性研磨液，实现硅片的化学机械抛光。抛光的各阶段需搭配不同的抛光工艺及辅助材料，粗抛阶段使用较高的转速快速去除前工序加工残留的损伤层，中抛和精抛可降低表面的微粗糙度，实现镜面效果。所以，各阶段加工工艺不合理，尤其在中精抛阶段异常极易产生pid，且大多数pid在清洗过程中无法被去除，甚至在外延中引起凸起的缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善硅片pid的抛光方法，其具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片pid在清洗过程中无法被去除的问题。降低pid产生，达到提高硅片质量的效果。

2、本专利技术的上述技术问题主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善硅片PID的抛光方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：粗抛、中抛和精抛过程中温度控制在16～40℃。

3.根据权利要求1所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在硅片进行抛光前，先进行-15～-5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。

4.根据权利要求3所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在进行冷凝前，对硅片进行纯水冲洗。

5.根据权利要求3所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在进行冷凝前将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。...

【技术特征摘要】

1.一种改善硅片pid的抛光方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善硅片pid的抛光方法，其特征在于：粗抛、中抛和精抛过程中温度控制在16～40℃。

3.根据权利要求1所述的改善硅片pid的抛光方法，其特征在于：在硅片进行抛光前，先进行-15～-5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。

4.根据权利要求3所述的改善硅片pid的抛光方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡来强，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：