【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种改善硅片pid的抛光方法。
技术介绍
1、随着器件的精密化，硅片加工可能引起失效的缺陷尺寸越来越小，硅片表面微小缺陷逐渐引起重视，并且随着检测设备的发展和缺陷检测能力的提高，发现抛光过程中会产生微小凸起缺陷，即pid (polishing induced defects)。
2、硅片和抛光布相对旋转并供应碱性研磨液，实现硅片的化学机械抛光。抛光的各阶段需搭配不同的抛光工艺及辅助材料，粗抛阶段使用较高的转速快速去除前工序加工残留的损伤层，中抛和精抛可降低表面的微粗糙度，实现镜面效果。所以，各阶段加工工艺不合理，尤其在中精抛阶段异常极易产生pid，且大多数pid在清洗过程中无法被去除，甚至在外延中引起凸起的缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善硅片pid的抛光方法，其具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片pid在清洗过程中无法被去除的问题。降低pid产生，达到提高硅片质量的效果。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种改善硅片pid的抛光方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛。
5、第一次粗抛阶段，大盘转速30～40rpm，抛头转速72～82rpm，抛光时间4～13min，碱性抛光液ph控制在10.7～11.7之间，流量控制在5～15l/min。
6、第二次粗抛阶段，大盘转
7、第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛。
8、第一次中抛阶段，大盘转速25～35rpm，抛头转速61～71rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液ph控制在10.1～11.1之间，流量控制在5～15l/min。
9、第二次中抛阶段，大盘转速15～25rpm，抛头转速39～49rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液ph控制在10.1～11.1之间，流量控制在5～15l/min。
10、第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛。
11、第一次精抛阶段，大盘转速10～20rpm，抛头转速10～20rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液ph控制在9.6～10.6之间，流量控制在1～3l/min。
12、第二次精抛阶段，大盘转速5～15rpm，抛头转速5～15rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液ph控制在9.6～10.6之间，流量控制在1～3l/min。
13、作为优选，粗抛、中抛和精抛过程中温度控制在16～40℃。
14、作为优选，在硅片进行抛光前，先进行-15～-5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅片表面进行除杂，同时便于后续硅片挑选。
15、作为优选，在进行冷凝前，对硅片进行纯水冲洗。
16、作为优选，在进行冷凝前将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。
17、作为优选，经过冷凝和氮气除杂后，硅片在探伤仪上进行喷涂荧光粉探伤，有裂痕和凹坑缺陷的硅片进行报废，小凹坑缺陷或合格的硅片经过振动清洗或纯水冲洗后再次进行冷凝和氮气除杂。
18、本专利技术能够达到如下效果：
19、本专利技术提供了一种改善硅片pid的抛光方法，与现有技术相比较，具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片pid在清洗过程中无法被去除的问题。降低pid产生，达到提高硅片质量的效果。
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1.一种改善硅片PID的抛光方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：粗抛、中抛和精抛过程中温度控制在16～40℃。
3.根据权利要求1所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在硅片进行抛光前，先进行-15～-5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。
4.根据权利要求3所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在进行冷凝前，对硅片进行纯水冲洗。
5.根据权利要求3所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：在进行冷凝前将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。
6.根据权利要求4或5所述的改善硅片PID的抛光方法，其特征在于：经过冷凝和氮气除杂后，硅片在探伤仪上进行喷涂荧光粉探伤，有裂痕和凹坑缺陷的硅片进行报废，小凹坑缺陷或合格的硅片经过振动清洗或纯水冲洗后再次进行冷凝和氮气除杂。
【技术特征摘要】
1.一种改善硅片pid的抛光方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的改善硅片pid的抛光方法，其特征在于：粗抛、中抛和精抛过程中温度控制在16～40℃。
3.根据权利要求1所述的改善硅片pid的抛光方法，其特征在于：在硅片进行抛光前，先进行-15～-5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。
4.根据权利要求3所述的改善硅片pid的抛光方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡来强，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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