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本公开提供了一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路，非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；原始存储阵列包括若干个第一存储单元；译码器模块用于在若干个第一存储单元中选中用于读操作的目标存储单元；漏电流补偿电路包括补偿存储...
该专利属于南京优存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京优存科技有限公司授权不得商用。

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