非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路制造技术

本公开提供了一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路，非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；原始存储阵列包括若干个第一存储单元；译码器模块用于在若干个第一存储单元中选中用于读操作的目标存储单元；漏电流补偿电路包括补偿存储阵列，补偿存储阵列包括若干个第二存储单元；漏电流补偿电路用于在对目标存储单元执行读操作时，对目标存储单元所处位线上的第一漏电流进行补偿。本公开的漏电流补偿电路结构简单且易于实现，补偿电流的温度特性与原始存储阵列的真实漏电流相适配，无论高低温操作时，都能达到相适配的补偿效果，能够及时、有效且可靠的对未选中cell的漏电流进行补偿，提高了非易失性存储芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及芯片，尤其涉及一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路。

技术介绍

1、slc(单层单元存储技术)nor flash(一种非易失性闪存技术)芯片常用来作为代码存储，一个独立的存储阵列是由多个wl(字线)(比如256字线或者512字线甚至1024字线)和多个bl(位线)(比如2048位线或者4096位线甚至8192位线)组成，图1为现有技术中一示例性的非易失性存储芯片的存储阵列的结构示意图，图1所示是一个由1024字线和8192位线组成的nor flash存储阵列示意图。阵列之外设计者会设计一个可以进行阈值调整的参考cell(单元)，给存储阵列提供读操作的参考电流，当然也有设计者会直接从基准电流源产生一个参考电流。读操作各个端口的偏置条件如下：csl(common source line，公共源极线)偏置在0v(伏特)，选中的字线偏置在vread(一个电压值)，未选中的位线偏置在0v，选中的位线偏置在vbl(0.7到1v)。根据存储的数据的不同，位线上的电流也不一样，这个电流会与参考电流通过灵敏放大器进行比较进而判断出选中的cell所存储的数据值是0本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非易失性存储芯片的漏电流补偿电路，其特征在于，所述非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；

2.根据权利要求1所述的漏电流补偿电路，其特征在于，所述原始存储阵列包括Nw条第一字线、Nb条第一位线和Nw*Nb个所述第一存储单元，每条所述第一位线并联有Nw个所述第一存储单元，每条所述第一字线并联有Nb个所述第一存储单元，Nw和Nb均为正整数；

3.根据权利要求2所述的漏电流补偿电路，其特征在于，所述原始存储阵列包括1024条所述第一字线、8192条所述第一位线和1024*8192个所述第一存储单元；

4.根据权利要求2所述的漏电...

【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储芯片的漏电流补偿电路，其特征在于，所述非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；

2.根据权利要求1所述的漏电流补偿电路，其特征在于，所述原始存储阵列包括nw条第一字线、nb条第一位线和nw*nb个所述第一存储单元，每条所述第一位线并联有nw个所述第一存储单元，每条所述第一字线并联有nb个所述第一存储单元，nw和nb均为正整数；

3.根据权利要求2所述的漏电流补偿电路，其特征在于，所述原始存储阵列包括1024条所述第一字线、8192条所述第一位线和1024*8192个所述第一存储单元；

4.根据权利要求2所述的漏电流补偿电路，其特征在于，所述补偿存储阵列中的第二存储单元的规格参数，与所述原始存储阵列中的第一存储单元的规格参数相同。

5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱庆军，
申请(专利权)人：南京优存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：