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本技术涉及一种感测单元阵列装置。所述感测单元阵列装置包括在基底与绝缘层之间形成的至少两个隔热腔、对应于各所述隔热腔分别形成的阵列排布的至少两个气体感测单元以及互连结构，其中，所述互连结构包括多条金属互连线以及分别与各所述金属互连线连接的多个...
该专利属于启思半导体（杭州）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过启思半导体（杭州）有限责任公司授权不得商用。

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