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提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：栅极线，在导电层与导电垫之间彼此间隔开；以及沟道结构，延伸穿过栅极线。沟道结构包括：沟道区，限定柱状空间，并且包括与导电垫接触的第一沟道端以及与导电层接触的第二沟...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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