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本发明涉及一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，所述方法包括以下步骤：由NiP薄膜电阻器的结构模型，通过磁控溅射方法在Si(1mm)衬底上沉积了Ag(200nm)/NiP(200nm)/Cr(5nm)的能够降低NiP薄膜电阻输...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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