【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种设计方法，具体涉及一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，属于高频薄膜电子材料与仿真技术相结合的交叉。
技术介绍
1、高频通信是指在高频段(3mhz至300ghz)进行的无线通信，在现代移动通信中有着极其重要的地位。其高带宽、短波长的特点使得高频通信可以携带比低频信号更多的信息以及可以实现更高的分辨率和更精准的定位功能，是信息传输、无线通信和远程控制的重要手段。高频通信已广泛应用于无线电通信、卫星通信、雷达、遥控等领域，并且随着5g等新一代通信技术的发展，高频通信也将继续发挥重要的作用。
2、薄膜电阻在高频通信电路中扮演着重要的角色。作为一种无源器件，其具有较低的电阻温度系数(tcr)，能够提供稳定和可靠的电阻性能。近年来，随着微波器件小型化、轻量化需求的提高，薄膜电阻器在高性能、高集成化的高频电路中得到了更广泛的应用。包括模拟电路、数字电路、传感器、电源管理等。
3、nip薄膜是非晶结构，具有较高的热稳定性、耐腐蚀性、耐磨性，在材料的半导体金属方面有着很好的应用前景。以镍磷薄膜为基...
【技术保护点】
1.一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤1中，沉积的NiP薄膜尺寸为0.2mm×0.2mm×0.2μm。
3.根据权利要求2所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤2中，沉积的NiP薄膜尺寸依然为0.2mm×0.2mm×0.2μm。
4.根据权利要求3所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤3：根据制作的NiP薄膜电阻器获取所需的基本参...
【技术特征摘要】
1.一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤1中，沉积的nip薄膜尺寸为0.2mm×0.2mm×0.2μm。
3.根据权利要求2所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤2中，沉积的nip薄膜尺寸依然为0.2mm×0.2mm×0.2μm。
4.根据权利要求3所述的适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，其特征在于，步骤3：根据制作的nip薄膜电阻器获取所需的基本参数，包括镍磷薄膜的电阻率100μω·cm、介电常数1和方阻值50ω/sq以及薄膜电...
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