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本发明属于核燃料元器件及其制造领域，具体涉及一种基于PECVD技术于锆合金包壳管表面低温沉积碳化硅的方法，包括如下步骤：将表面预处理的锆合金包壳管置于PECVD沉积室中预热至沉积温度，利用等离子体放电对锆合金包壳管的表面进行清洗；再向沉积室...
该专利属于内蒙古科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古科技大学授权不得商用。

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