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本发明涉及III族氮化物半导体薄膜材料技术领域，公开了一种基于预沉积技术的AlN薄膜的制备方法及AlN薄膜，AlN薄膜包括衬底、AlN成核层和AlN单晶薄膜层，其制备方法包括以下步骤：首先低温下低功率远程等离子体处理衬底表面；然后衬底升温至...
该专利属于天津市滨海新区微电子研究院所有，仅供学习研究参考，未经过天津市滨海新区微电子研究院授权不得商用。

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