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本发明涉及一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成倒角加工的硅抛光片，进行碱腐蚀加工。第二步：碱腐蚀后的硅抛光片洗净后，进行边缘抛光。第三步：进行正面抛光后，进行单面洗净，洗净的药液为S...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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