改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法技术

本发明专利技术涉及一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成倒角加工的硅抛光片，进行碱腐蚀加工。第二步：碱腐蚀后的硅抛光片洗净后，进行边缘抛光。第三步：进行正面抛光后，进行单面洗净，洗净的药液为SC1溶液和HF溶液，硅抛光片分别在SC1清洗槽和HF清洗槽内进行清洗。第四步：单面洗净后硅抛光片进行纯水喷淋并完成氮气加热烘干过程。第五步：进行表面金属测试。具有操作便捷、效果好、省时省力和质量稳定性好的特点。解决了硅抛光片的边缘很容易引入金属杂质污染的问题。避免硅抛光片表面金属含量超标而导致产品不合格的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法。

技术介绍

1、硅材料是制造超大规模集成电路的主要衬底材料，随着半导体行业的飞速发展，对衬底材料的精度要求也越来越高，特别是对硅抛光片的边缘状态要求越来越严格。对于直径6英寸以上尤其是8英寸和12英寸的硅抛光片来说，一般在衬底加工时需要对硅片边缘进行抛光，以确保在外延时硅片边缘处不产生滑移线或外延层错等缺陷，从而提高外延片或器件成品率。

2、金属杂质污染是影响半导体硅片的主要元素之一，而铁是最常见的金属杂质。铁污染的来源主要有原材料中含有的铁杂质，拉晶过程中的扩散，和抛光片加工工艺（切割，腐蚀，抛光，洗净，热处理等）的引入等。

3、抛光片的加工过程中，由于加工工艺的不完善，以及晶片与设备之间不可避免的接触，特别是晶片的边缘，很容易引入金属杂质污染，从而造成表面金属含量超标，导致产品不合格。因不能满足正常的使用要求，无法进一步加工成电子元器件，造成浪费。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在 的不足，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：碱腐蚀加工使用的药液为KOH溶液，质量浓度40～50%，加工时间40～80min。

3.根据权利要求2所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：碱腐蚀加工达到硅抛光片表面去除量增加至约60～80 um，确保能有效地去除前道工序遗留下来的金属杂质。

4.根据权利要求1所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：SC1溶液中NH4OH:H2O2:H2O= 1：2：（10～30）；HF溶液的浓...

【技术特征摘要】

1.一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：碱腐蚀加工使用的药液为koh溶液，质量浓度40～50%，加工时间40～80min。

3.根据权利要求2所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：碱腐蚀加工达到硅抛光片表面去除量增加至约60～80 um，确保能有效地去除前道工序遗留下来的金属杂质。

4.根据权利要求1所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：sc1溶液中nh4oh:h2o2:h2o= 1：2：（10～30）；hf溶液的浓度为1～3%。

5.根据权利要求1所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：硅抛光片表面金属测试方法有icp法、xps法、sims法、aes法或sem/eds联用分析法。

6.根据权利要求5所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：icp法利用高频等离子体激发样品中的原子发射光谱进行分析，测定20多种金属元素，适用于分析多种材料中的金属元素。

7.根据权利要求5所述的改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于：xps法是通过表面元素的荧光谱测定元素的含量和化学状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈珈璐，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：