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本申请公开一种存储芯片及电子设备，涉及半导体技术领域。存储芯片包括缓存器，缓存器包括：第一堆叠结构、第一导电柱、第一铁电层、读晶体管和写晶体管。第一堆叠结构包括至少一层第一板线层和位于第一板线层相对两侧的第一介质层。在第一板线层的数量为多层...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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