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本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。包括：沉降：将废砂浆进行沉降使其固‑液相分离；二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解；二次沉降：对二次溶解后的溶液进行第二次沉降使其固...
该专利属于浙江海纳半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江海纳半导体股份有限公司授权不得商用。

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