一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法技术

本发明专利技术涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。包括：沉降：将废砂浆进行沉降使其固‑液相分离；二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解；二次沉降：对二次溶解后的溶液进行第二次沉降使其固‑液相分离；三次溶解：二次沉降得到的固相再用去离子水进行第三次溶解；三次沉降：对三次溶解后的溶液进行第三次沉降使其固‑液相分离；粉化：三次沉降得到的固相通过干燥和研磨再次粉化。本发明专利技术设计的方法操作简便、设计合理，可以有效地去除循环使用砂浆中的各种重金属，有效避免喷砂工艺对硅片的金属沾污，极大地降低了喷砂工序的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体单晶硅片衬底制造，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。

技术介绍

1、背面软损伤(soft back damage)是通过对硅片背面的机械损伤，使硅片具有非本征的吸杂能力，这些损伤可以在ic工艺中作为吸除杂质的陷阱。喷砂法是一种比较常见的背面软损伤工艺，该工艺采用一定粒径的颗粒状物质与水混合形成的砂浆，利用气压带动砂浆对移动中的传送带上的硅片进行喷砂，以达到在硅片背面形成“软”损伤的方法。通过对气压的大小、砂浆浓度、传送带的速度以及喷枪高度的改变，来控制硅片背面“软”损伤的程度，以达到使硅片具有吸杂能力又不致因机械损伤过大而带来其他负面效应。

2、单晶硅片衬底喷砂用砂浆一般石英砂，它是一种sio2颗粒，其直径一般为2～5um左右，表面带有不同基团以促进在水中的分散。在喷砂过程中，高压气流携带砂浆冲击硅片表面，而后砂浆再通过循环系统进入砂浆储液桶进行循环利用。在实际使用过程中高压气体(一般是压缩空气)、设备的金属部件、硅片本身都会携带金属进入砂浆，使得砂浆中金属浓度随循环使用时间的增加而增大，而砂浆中金属又会本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述废砂浆为单晶硅片喷砂工艺循环使用的砂浆，是通过商业化的石英砂和去离子水按照一定的比例配制而成的。

3.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤S1、步骤S3和步骤S5中，所述砂浆的沉降方法包括自然沉降或离心加速沉降；其中：

4.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤S2中，第二次溶解使用酸种类为盐酸HCL、氢氟酸HF、...

【技术特征摘要】

1.一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述废砂浆为单晶硅片喷砂工艺循环使用的砂浆，是通过商业化的石英砂和去离子水按照一定的比例配制而成的。

3.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤s1、步骤s3和步骤s5中，所述砂浆的沉降方法包括自然沉降或离心加速沉降；其中：

4.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤s2中，第二次溶解使用酸种类为盐酸hcl、氢氟酸hf、柠檬酸中的一种或两种及以上的混酸。

5.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤s2中，稀酸溶液的质量分数为0.1～5wt％；

6.根据权利要求1所述的用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于：所述步骤s2或步骤s4中，第二次溶解使用的稀酸溶液的体积与沉淀相体积比、第三次溶解使用的...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈益军，张庆旭，吴雄杰，朱建勇，蒋慧，余水强，欧亦峰，徐子洋，吕文静，李晓庭，
申请(专利权)人：浙江海纳半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：