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本申请提供能够更高速地进行写入动作的半导体存储装置。控制电路在对存储单元晶体管执行写入动作时执行第一脉冲施加动作，执行预充电动作，执行第二脉冲施加动作。在第一脉冲施加动作中，使第一存储单元晶体管(sMT)的阈值电压降低。在预充电动作中，在使...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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