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本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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