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本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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