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本发明公开了一种碳化硅二极管器件及其制备方法，包括碳化硅衬底、外延层、结终端区、元胞区、阳极欧姆金属层、肖特基金属层、阳极电极层、钝化保护层、阴极欧姆金属层和阴极电极层；外延层设于碳化硅衬底上，结终端区和元胞区设于外延层的顶部；元胞区包括P...
该专利属于南京南瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南瑞半导体有限公司授权不得商用。

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