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本发明涉及一种晶体管的制备方法及晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中薄膜晶体管在高密度、高集成度应用中出现的阈值电压漂移问题。该晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成薄膜晶体管的背栅、栅极绝缘层、沟道层和电极层；所述电极层包括源极和...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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